| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 135 毫欧 @ 6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FQD17P06TFTR |
【Fairchild Semiconductor】FQD17P06TM,MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD18N20V2TF,MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD18N20V2TM,MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10LTF,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10LTM,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TF,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TM,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD19N10TM_F080,MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK