您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fqd4n20tf
  • FQD4N20TF

FQD4N20TF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 3A DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 1.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds220pf @ 25V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

fqd4n20tf的相关型号: