| 描述 | MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series | 漏极连续电流 | 4 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | DPAK | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 45 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 80 W | 上升时间 | 45 ns |
| 工厂包装数量 | 2000 | 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQD6N60CTM,MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD6N60CTM_WS,MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
【Fairchild Semiconductor】FQD6P25TF,MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD6P25TM,MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N10LTF,MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
【Fairchild Semiconductor】FQD7N10LTM,MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK