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FQG4902TU

描述MOSFET 250V Dual N & P-Ch QFET漏极连续电流+ 0.54 A, - 0.54 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)2 Ohms配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体DIP-8封装Tube
下降时间17 ns at N Channel, 19 ns at P Channel最小工作温度- 55 C
功率耗散1.4 W上升时间17 ns at N Channel, 19 ns at P Channel
工厂包装数量50典型关闭延迟时间29 ns at N Channel, 44 ns at P Channel

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