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FQG4904TU

描述MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET漏极连续电流+ 0.46 A, - 0.46 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)3 Ohms配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体DIP-8封装Tube
下降时间16 ns at N Channel, 21 ns at P Channel最小工作温度- 55 C
功率耗散1.6 W上升时间16 ns at N Channel, 21 ns at P Channel
工厂包装数量50典型关闭延迟时间28 ns at N Channel, 85 ns at P Channel

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