| 描述 | MOSFET N-CH 100V 48A TO247-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 48A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 24A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 62 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 180W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
【Fairchild Semiconductor】FQH70N10,MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH8N100C,MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQH90N10V2,MOSFET NCH/150V/90A/QFET
【Fairchild Semiconductor】FQH90N15,MOSFET N-CH 150V 90A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQI10N20CTU,MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI10N60CTU,MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI11N40TU,MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
