| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 4.75A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 72W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQI10N60CTU,MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI11N40TU,MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI11P06TU,MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N50TU,MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N60CTU,MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N60TU,MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK