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FQI10N20LTU

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.36 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体I2PAK
封装Rail下降时间95 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散3.13 W
上升时间150 ns典型关闭延迟时间50 ns

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