描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.36 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
封装 | Rail | 下降时间 | 95 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.13 W |
上升时间 | 150 ns | 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI10N60CTU,MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI11N40TU,MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI11P06TU,MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N50TU,MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N60CTU,MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI12N60TU,MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK