描述 | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.45 欧姆 @ 4A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V |
功率 - 最大 | 225W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247 |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQH90N10V2,MOSFET NCH/150V/90A/QFET
【Fairchild Semiconductor】FQH90N15,MOSFET N-CH 150V 90A TO-247
【Fairchild Semiconductor】FQI10N20CTU,MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI10N60CTU,MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI11N40TU,MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI11P06TU,MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK