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FQI4N20TU

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 1.8A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds220pf @ 25V
功率 - 最大3.13W安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA供应商设备封装I2PAK
包装管件

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