描述 | MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 1.8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 220pf @ 25V |
功率 - 最大 | 3.13W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQI4N25TU,MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N80TU,MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4N90TU,MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI4P40TU,MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06LTU,MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06TU,MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N15TU,MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK