| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.36 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 下降时间 | 95 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 87 W | 上升时间 | 150 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP10N60C,MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP10N60C_Q,MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40,MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C,MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C_Q,MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP11N50CF,MOSFET N-CH 500V 11A TO-220