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FQP16N25C_Q

描述MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET漏极连续电流15.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.27 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间105 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)10.5 S
最小工作温度- 55 C功率耗散139 W
上升时间130 ns典型关闭延迟时间135 ns

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