| 描述 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 265 毫欧 @ 9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 208W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220 |
| 包装 | 管件 |
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)已推出七种新型高电压平面型mosfet，具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。 这些mosfet专用于满足先进开关电源(smps)和dc/dc转换器的性能要求。这些器件的先进条状结构技术和较小封装能为功率系统带来许多益处，如减少功率损耗，提高系统效率和稳定系统质量。 500v fqp18n50v2产品采用to-220封装，200v fqd18n20v2采用d-pak封装，尺寸因子较低，使开关模式应用发挥最佳性能。 飞兆半导体现提供的七种新型产品包括：三种500v器件，适用于开关模式电源(smps)和功率因子校正(pfc)设备，及四种200v器件，适用于dc/dc转换器。这些200v器件也适用于开关和脉冲宽度控制设备。 平面mosfet条状结构和更高的活动单元密度，能降低导通电阻、开关损耗和有效输出电容。这种新技术的引用包括两方面，即在p井之间形成补偿区域以提升rds(on) 值，以及采用自定位工艺以提高单元密度和稳定性。 批量1,000个时，fqd/u18n20v2、fqp18n20v2、 ...
【Fairchild Semiconductor】FQP18N50V2_Q,MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
【Fairchild Semiconductor】FQP19N10,MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N10L,MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20,MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C_F080,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C_Q,MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20CTSTU,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220