| 描述 | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V | 功率 - 最大 | 139W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C_F080,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C_Q,MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20CTSTU,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20L,MOSFET N-CH 200V 21A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP1N50,MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP1N60,MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
