描述 | MOSFET N-CH 100V 19A TO-220 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 9.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
功率 - 最大 | 75W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20,MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C_F080,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20C_Q,MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20CTSTU,MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP19N20L,MOSFET N-CH 200V 21A TO-220