| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 140 毫欧 @ 9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 123W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220 |
| 包装 | 管件 |
关模式应用发挥最佳性能。 飞兆半导体现提供的七种新型产品包括：三种500v器件，适用于开关模式电源(smps)和功率因子校正(pfc)设备，及四种200v器件，适用于dc/dc转换器。这些200v器件也适用于开关和脉冲宽度控制设备。 平面mosfet条状结构和更高的活动单元密度，能降低导通电阻、开关损耗和有效输出电容。这种新技术的引用包括两方面，即在p井之间形成补偿区域以提升rds(on) 值，以及采用自定位工艺以提高单元密度和稳定性。 批量1,000个时，fqd/u18n20v2、fqp18n20v2、fqpf18n20v2、fqp18n50v2、fqpf18n50v2和fqa18n50v2单价分别为1.50、1.80、1.80、3.00、3.00和3.50美元。现已有样品提供及批量出货，大量订单所需的预订时间为12周或以上。 来源:xiangxueqin ...
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