| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.09 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 下降时间 | 115 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 168 W | 上升时间 | 180 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP2N30,MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N40,MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N50,MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N60,MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N60C,MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP2N60C_Q,MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP2N80,MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220