| 描述 | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.5 欧姆 @ 100mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FQT1N60CTF_WSTR |
【Fairchild Semiconductor】FQT1N80TF_WS,MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FQT2P25TF,MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FQT3P20TF,MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FQT3P20TF_SB82100,MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】FQT4N20LTF,MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
