| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 830pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQU10N20TU,MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU10N20TU_AM002,MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU11P06TU,MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU12N20TU,MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06LTU,MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06LTU_WS,MOSFET N-CH 60V 11A IPAK