描述 | TRANSISTOR NPN 25V 3A SSOT-3 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 3A |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 600mV @ 300mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1A,2V |
功率 - 最大 | 500mW | 频率 - 转换 | 150MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | 3-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FSB649_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor Low Saturation
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