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GB01SLT12-263

产品属性关于GeneSiC Semiconductor(GeneSiC Semiconductor,GeneSiC Semiconductor)

描述	肖特基（二极管与整流器） 1200V 1A SiC Schottky Rectifier	恢复时间	17 ns
正向电压下降	1.8 V	最大反向漏泄电流	4 uA
最大功率耗散	42 W	工作温度范围	- 55 C to + 175 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-263
封装	Bulk	最大二极管电容	8 pF

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