描述 | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.8 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 10mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2420pF @ 10V |
功率 - 最大 | 20W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerSOIC(0.156",3.95mm) | 供应商设备封装 | 8-LFPAK-iV |
包装 | 带卷 (TR) |