| 描述 | IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 380V |
|---|---|---|---|
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.8V @ 5V，20A | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 20A |
| 功率 - 最大 | 150W | 输入类型 | 逻辑 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N36G3VL,IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N36G3VLS,IGBT 晶体管 20A 360V Clamp
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N60A4S9A,IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N60C3S9A,IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S2N120CN,IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】HGT1S3N60A4DS9A,IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HGT1S7N60A4DS,IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB