| 描述 | MOSFET DISC BY MFG 2/02 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.07 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-251 |
| 下降时间 | 30 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 55 W | 上升时间 | 39 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF75309D3S,MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75309D3ST,MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75309P3,MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUF75309P3_Q,MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
【Fairchild Semiconductor】HUF75309T3ST,MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3,MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3S,MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF75321D3ST,MOSFET N-CH 55V 20A DPAK