描述 | MOSFET N-CH 20V 20A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 20A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 470pF @ 20V |
功率 - 最大 | 41W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】HUF76013D3S,MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF76013D3ST,MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUF76013P3,MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUF76105DK8T,MOSFET USE 512-FDS6930A Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76105SK8T,MOSFET 5a 30V 0.050 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76107D3ST,MOSFET USE 512-FDD6630A Logic Level N-Ch