| 描述 | MOSFET USE 512-FDD6630A Logic Level N-Ch | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.052 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-252AA |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 22 ns, 20 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 35 W |
| 上升时间 | 66 ns, 30 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns, 62 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF76107P3,MOSFET 20a 30V 0.052 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76107P3_R4782,MOSFET USE 512-FDP6030BL Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76113DK8T,MOSFET USE 512-FDS6912A Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76113SK8,MOSFET 6.5a 30V .0.030Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76113SK8T,MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76113T3ST,MOSFET 4.7a 30V 0.031 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76121D3,MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.023Ohm