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  • HUF76113DK8T

HUF76113DK8T

描述MOSFET USE 512-FDS6912A Logic Level N-Ch电阻汲极/源极 RDS(导通)0.026 Ohms
配置Dual Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOP-8
封装Reel下降时间40 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间33 ns工厂包装数量2500
典型关闭延迟时间50 ns

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