| 描述 | MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.025 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Dual Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOP-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 34 ns, 40 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 50 ns, 33 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns, 45 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF76113T3ST,MOSFET 4.7a 30V 0.031 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76121D3,MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.023Ohm
【Fairchild Semiconductor】HUF76121D3ST,MOSFET USE 512-FDD6612A Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76121P3,MOSFET 47a 30V N-Ch MOSFET
【Fairchild Semiconductor】HUF76121S3ST,MOSFET USE 512-FDB6030BL
【Fairchild Semiconductor】HUF76129D3,MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.016Ohm