描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.052 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-251 |
下降时间 | 22 ns, 20 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 35 W | 上升时间 | 66 ns, 30 ns |
典型关闭延迟时间 | 16 ns, 62 ns |
【Fairchild Semiconductor】HUF76107D3ST,MOSFET USE 512-FDD6630A Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76107P3,MOSFET 20a 30V 0.052 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76107P3_R4782,MOSFET USE 512-FDP6030BL Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76113DK8T,MOSFET USE 512-FDS6912A Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76113SK8,MOSFET 6.5a 30V .0.030Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】HUF76113SK8T,MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch