描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 63 毫欧 @ 18A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V | 功率 - 最大 | 49W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】HUFA76409D3ST,MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76409P3,MOSFET N-CH 60V 18A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HUFA76413D3,MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
【Fairchild Semiconductor】HUFA76413D3S,MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
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【Fairchild Semiconductor】HUFA76413DK8T_F085,MOSFET 60V Dual N-Channel Logic Level UltraFER