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IPD50N06S3-09

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：55 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms	漏极连续电流	50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	9 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-252	封装	Reel
下降时间	37 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	107 W	上升时间	42 ns
典型关闭延迟时间	26 ns	零件号别名	IPD50N06S309XT

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