| 描述 | MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 900mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 540mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 6.8 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 88 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro6?（TSOP-6） |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
【International Rectifier】IRF5802TR,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5802TRPBF,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5803D2,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2PBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2TR,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2TRPBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
