| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 2.9A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 960mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） | 供应商设备封装 | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF5810TRPBF-NDIRF5810TRPBFTR |
