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IRF640B_FP001_Q

描述MOSFET 200V Single漏极连续电流11.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.18 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间110 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散139 W上升时间145 ns
典型关闭延迟时间145 ns

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