| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9 毫欧 @ 13A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 24nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2120pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 ST | 供应商设备封装 | DIRECTFET? ST |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF6608TR |
ir的新芯片组方案只有6个mosfet (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大导通电阻为9.5mω，可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf6635 30v mosfet的最大导通电阻为1.8mω ，是特别为次级同步整流优化的。这组mosfet可与最新面世的ir2086s全桥直流总线转换器集成电路和现有的irf6608 30v directfet mosfet结合起来用作次级栅钳位。 ...
【International Rectifier】IRF6608TR1,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TR1,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TR1PBF,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TRPBF,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6610,MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6610TR1,MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6610TR1PBF,MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
