您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > irf6619tr1pbf
  • IRF6619TR1PBF

IRF6619TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.749
  • 3000$1.666
  • 5000$1.607
  • 10000$1.554
描述MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.2 毫欧 @ 30A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.45V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs57nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds5040pF @ 10V
功率 - 最大2.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MX供应商设备封装DIRECTFET? MX
包装带卷 (TR)其它名称IRF6619TR1PBFTR

irf6619tr1pbf的相关型号: