IRF6621

非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。 ir中国及香港销售总监严国富表示：“ir在ir2086s控制ic上使用的高压ic技术与一流的directfet mosfet封装技术配合，可使温度比标准方案降低40°c，从而增加系统的可靠性。” ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的ir ...

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dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板，以及存有用户指南、数据资料、pcb文件及应用说明书等资料的cd光盘。irdc2086-330w dc总线转换器参考设计现已供货，每套250美元。 来源:小草 ...

非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板，以及存有用户指南、数据资料、pcb文件（gerber、.dxf、.cad）及应用说明书等资料的cd光盘。 irdc2086-330w dc总线转换器参考设计现已供货，每套 ...