IRF6635

国际整流器公司(international rectifier，简称ir)近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336w功率。 irf6646和irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v和36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激和推挽式转换器，以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。ir的新芯片组方案只有6个mosfet (4个初级和2个次级)和1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1.5%。 irf6646 80v mosfet的最大导通电阻为9.5mω，可针对初级桥式电路拓扑进行定制。irf6635 30v mosfet的最大导通电阻为1.8mω ，是 ...

w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。 ir中国及香港销售总监严国富表示：“ir在ir2086s控制ic上使用的高压ic技术与一流的directfet mosfet封装技术配合，可使温度比标准方案降低40°c，从而增加系统的可靠性。” ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成 ...

30w。 该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板，以及存有用户指 ...

国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出一款新型的directfet mosfet芯片组。新品可配合ir近期发布的ir2086s全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336w功率。 全新的irf6646及irf6635适用于隔离式dc-dc转换器总线转换器的固定48v及36v到60v输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式dc-dc电路拓扑、针对移动通信的18v到36v输入正激及推挽式转换器，以及调节式输出隔离式dc-dc应用中的次级同步整流。 业界标准的300w四分之一砖设计往往包含多达10个mosfet（4个初级和6个次级）、1个脉宽调制（pwm）集成电路及2个半桥驱动器集成电路。ir的新芯片组方案则只有6个mosfet（4个初级和2个次级）及1个单独的集成电路，节省功率半导体零件数达46%。 此外，以这种芯片组制成的隔离式总线转换器dc-dc能有效节省多达29%的占板空间，更可提升工作效率1 ...

该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板，以及 ...

到125℃时，rdson将增加50%。 除此之外，设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差，此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃～125℃整个范围的20a系统，电流限值必须设置成平均值38a，这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准，电流限值可能更苛刻，设置点精度优于5%。这样，电流限值将降低到平均22a，可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低，而且能提供更精确的保护功能。 在考虑到这些要求后，选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a，rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω)，可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流，并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低，开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合，高压侧mosfet保持导通的 时间不长，大部分损耗是开关损耗。 输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标，并使输入和输出纹波电流 ...

5℃上升到125℃时，rdson将增加50%。 除此之外，设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差，此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃～125℃整个范围的20a系统，电流限值必须设置成平均值38a，这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准，电流限值可能更苛刻，设置点精度优于5%。这样，电流限值将降低到平均22a，可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低，而且能提供更精确的保护功能。 在考虑到这些要求后，选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a，rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω)，可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流，并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低，开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合，高压侧mosfet保持导通的 时间不长，大部分损耗是开关损耗。 输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标，并使输入和输出纹波电流最小。对于高 ...

该款参考设计简化了用于网络、通信和高端服务器应用的48v输入砖和嵌入式电源的开发。irdc2086-330w是一款工作效率高达97%的48v至9.6v（35a）非稳压dc总线转换器，体积比业界标准的四分之一砖稳压器缩小30%。此外，irdc2086-330w将功率转换元件的数目从3颗ic及14颗场效应管减少到一颗ic和8颗场效应管。 新款参考设计的芯片组包括ir2086s初级全桥控制ic和8颗功率转换mosfet，其中4颗irf6646 80v directfet初级mosfet，4颗irf6635 30v directfet次级同步mosfet。小型mosfet（采用so-8封装的irf7830 80v mosfet）用于偏置开关和次级箝位（2颗irf6621 30v小罐式directfet mosfet）。ir2086s全桥式控制器在高频率（可高达500khz）下工作，可利用一个集成的软启动电容器将占空比经2,000周期逐步增加到50%，以限制启动时的电流冲击，并在整个启动过程保持高侧和低侧mosfet的脉宽相等。 新款参考设计包括完整的irdc2086-330w电路板，以及存有用 ...