IRF6665

功率管理领导厂商国际整流器公司（international rectifier，简称ir）为中等功率的d类音频放大器推出irf6665 directfet™ mosfet。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（thd）、功率密度等性能。d类放大器应用广泛，从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。 在针对应用专门优化的硅片上，ir的directfet™封装技术通过降低引线电感提高了d类音频放大器的性能，进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升，无需散热器即可在8欧阻抗上运行100w功率。散热器的免除减少了电路面积和体积，设计布局更灵活，放大器成本也更低。 决定d类音频性能的重要mosfet参数包括器件导通电阻rds(on)和栅电荷qg，这两者决定放大器效率。 ir中国及香港销售总监严国富表示：“ir在同步整流和功率mosfet开关电路上的专业技术适用于d类音频拓扑。综合了ir独特的directfet封装和特殊应用器件参数后， d类音频性能封套将具备更高效率，更完善的emi和更佳功率密度。” ...

死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。 irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet（如irf6665），电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。” 谭先生认为，“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 设计支持 在ir音频网页http://www.irf.com/product-info/audio/ 可访问相关设计数据表、产品选择指南和d类音频应用笔记的链接。 供货和报价 ...

件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。 irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet（如irf6665），电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。” 谭先生认为，“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 设计支持 在ir音频网http://www.irf.com/product-info/audio/ 可访问相关设计数据表、产品选择指南和d类音频应用笔记的链接。 供货和报价 ...

片上，还配备了片上误差放大器、模拟pwm调制器、可编程预置死区时间和先进保护功能。 为了在不同通道之间实现一流的隔离，音频驱动器部署了已获肯定的高压结隔离技术和采用gen 5 hvic工艺的浮动栅极驱动器。这样就在裸片上实现了良好的内部信号隔离，这使得电路可以同时处理更多通道的信号，从而把每个通道的基本噪音保持在非常低的水平，同时尽可能减小了通道之间的串扰。 接着，我们建构了如图2所示的4通道半桥d类音频放大器电路，它结合了集成式d类音频控制器和栅极驱动器irs2093m，并搭配8个irf6665 directfet功率mosfet以及几个无源器件。该多通道音频放大器的每个通道都被设计成能够提供120w的输出功率。为便于使用，该电路包含了所有必需的内部管理电源。 图2：这款4通道半桥d类音频放大器设计采用了集成式d类音频控制器和irs2093m栅极驱动器，以及8颗irf6665 directfet mosfet和一些无源器件。 为达到最佳整体性能，irf6665功率mosfet特别针对d类放大器设计进行了优化。除了提供低通态电阻，还对功率mosfet做了改进以获得最小 ...

片上，还配备了片上误差放大器、模拟pwm调制器、可编程预置死区时间和先进保护功能。 为了在不同通道之间实现一流的隔离，音频驱动器部署了已获肯定的高压结隔离技术和采用gen 5 hvic工艺的浮动栅极驱动器。这样就在裸片上实现了良好的内部信号隔离，这使得电路可以同时处理更多通道的信号，从而把每个通道的基本噪音保持在非常低的水平，同时尽可能减小了通道之间的串扰。 接着，我们建构了如图2所示的4通道半桥d类音频放大器电路，它结合了集成式d类音频控制器和栅极驱动器irs2093m，并搭配8个irf6665 directfet功率mosfet以及几个无源器件。该多通道音频放大器的每个通道都被设计成能够提供120w的输出功率。为便于使用，该电路包含了所有必需的内部管理电源。 图2：这款4通道半桥d类音频放大器设计采用了集成式d类音频控制器和irs2093m栅极驱动器， 以及8颗irf6665 directfet mosfet和一些无源器件。 为达到最佳整体性能，irf6665功率mosfet特别针对d类放大器设计进行了优化。除了提供低通态电阻，还对功率mosfet做了改进以获得最小栅极 ...

片上，还配备了片上误差放大器、模拟pwm调制器、可编程预置死区时间和先进保护功能。 为了在不同通道之间实现一流的隔离，音频驱动器部署了已获肯定的高压结隔离技术和采用gen 5 hvic工艺的浮动栅极驱动器。这样就在裸片上实现了良好的内部信号隔离，这使得电路可以同时处理更多通道的信号，从而把每个通道的基本噪音保持在非常低的水平，同时尽可能减小了通道之间的串扰。 接着，我们建构了如图2所示的4通道半桥d类音频放大器电路，它结合了集成式d类音频控制器和栅极驱动器irs2093m，并搭配8个irf6665 directfet功率mosfet以及几个无源器件。该多通道音频放大器的每个通道都被设计成能够提供120w的输出功率。为便于使用，该电路包含了所有必需的内部管理电源。 图2：这款4通道半桥d类音频放大器设计采用了集成式d类音频控制器和irs2093m栅极驱动器，以及8颗irf6665 directfet mosfet和一些无源器件。 为达到最佳整体性能，irf6665功率mosfet特别针对d类放大器设计进行了优化。除了提供低通态电阻，还对功率mosfet做了改进以获得最小 ...

国际整流器公司（international rectifier，简称ir）为中等功率的d类音频放大器推出irf6665 directfet™ mosfet。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（thd）、功率密度等性能。d类放大器应用广泛，从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。 在针对应用专门优化的硅片上，ir的directfet™封装技术通过降低引线电感提高了d类音频放大器的性能，进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升，无需散热器即可在8欧阻抗上运行100w功率。散热器的免除减少了电路面积和体积，设计布局更灵活，放大器成本也更低。 决定d类音频性能的重要mosfet参数包括器件导通电阻rds(on)和栅电荷qg，这两者决定放大器效率。 ir中国及香港销售总监严国富表示：“ir在同步整流和功率mosfet开关电路上的专业技术适用于d类音频拓扑。综合了ir独特的directfet封装和特殊应用器件参数后， d类音频性能封套将具备更高效率，更完善的emi和更佳功率密度。” 产品型号封装bvd ...

功率管理领导厂商国际整流器公司（international rectifier，简称ir）为中等功率的d类音频放大器推出irf6665 directfet™ mosfet。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（thd）、功率密度等性能。d类放大器应用广泛，从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。 在针对应用专门优化的硅片上，ir的directfet™封装技术通过降低引线电感提高了d类音频放大器的性能，进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升，无需散热器即可在8欧阻抗上运行100w功率。散热器的免除减少了电路面积和体积，设计布局更灵活，放大器成本也更低。 决定d类音频性能的重要mosfet参数包括器件导通电阻rds(on)和栅电荷qg，这两者决定放大器效率。 ir中国及香港销售总监严国富表示：“ir在同步整流和功率mosfet开关电路上的专业技术适用于d类音频拓扑。综合了ir独特的directfet封装和特殊应用器件参数后， d类音频性能封套将具备更高效率，更完善的emi和更佳功率密度。” 产品型号 ...