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  • IRF6665TR1PBF

IRF6665TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.34205
  • 3000$1.2898
  • 5000$1.22838
  • 10000$1.18529
  • 25000$1.14588
描述MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFETFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫欧 @ 5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds530pF @ 25V
功率 - 最大2.2W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 SH供应商设备封装DIRECTFET? SH
包装带卷 (TR)其它名称IRF6665TR1PBFTR

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