| 描述 | MOSFET N-CH 55V 5.1A | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 5.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 44nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 780pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.4W | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
【International Rectifier】IRF7341PBF,MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7341QTRPBF,MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7341TRPBF,MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342,MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342D2PBF,MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
