描述 | MOSFET P-CH 30V 10A 8SO | FET 类型 | P 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20 毫欧 @ 5.6A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.04V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 92 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1700 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
【International Rectifier】IRF7420,MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7420PBF,MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7420TR,MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7420TRPBF,MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7421D1,MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7421D1PBF,MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7421D1TR,MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC