| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 4.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 61nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3180pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7473TRPBF,MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7475PBF,MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7475TRPBF,MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7476PBF,MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7476TRPBF,MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC