描述 | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 15 毫欧 @ 5.6A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1510pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRF7493TRPBF,MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7494PBF,MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7494TR,MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7494TRPBF,MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495PBF,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495TR,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495TRPBF,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC