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  • IRF7663TRPBF

IRF7663TRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds2520pF @ 10V
功率 - 最大1.8W安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)供应商设备封装Micro8?
包装带卷 (TR)其它名称IRF7663TRPBF-NDIRF7663TRPBFTR

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