描述 | MOSFET N-CH 28V 14A 8SO | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 28 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 15A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 23 nC @ 5 V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1800 pF @ 16 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.5W(Ta) | 工作温度 | - |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
【International Rectifier】IRF7811A,MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811APBF,MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811ATR,MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811ATRPBF,MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AV,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVPBF,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVTR,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7811AVTRPBF,MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC