描述 | MOSFET N-CH 25V 25A SO-8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 25V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 25A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.7 毫欧 @ 25A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.35V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5305pF @ 13V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF8252TRPBF,MOSFET N-CH 25V 25A SO-8
【Fairchild Semiconductor】IRF830_R4943,MOSFET TO-220AB N-Ch Power
【International Rectifier】IRF8302MTR1PBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
【International Rectifier】IRF8302MTRPBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
【International Rectifier】IRF8304MTR1PBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET