| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），12A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.4 毫欧 @ 10A，10V，9.3 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.55V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 11nC @ 4.5V，23nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 900pF @ 10V，1860pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
【International Rectifier】IRF9952PBF,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952QTRPBF,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952TR,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952TRPBF,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9953,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9953PBF,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
