描述 | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 28A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.6 毫欧 @ 50A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 150?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4490pF @ 20V |
功率 - 最大 | 3.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-VQFN | 供应商设备封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRFH5006TR2PBF,MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5006TRPBF,MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5007TR2PBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5007TRPBF,MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5010TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5010TRPBF,MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5015TR2PBF,MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
【International Rectifier】IRFH5015TRPBF,MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN