描述 | MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 10 毫欧 @ 11A,20V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.4V @ 25?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1543pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVQFN | 供应商设备封装 | PQFN(3x3) |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRFHS8242TR2PBF,MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
【International Rectifier】IRFHS8242TRPBF,MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
【International Rectifier】IRFHS8342TR2PBF,MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
【International Rectifier】IRFHS8342TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9301TR2PBF,MOSFET P-CH 30V 6A PQFN